金(jin)(jin)屬與所處(chu)環(huan)境介質(zhi)發生化學、電(dian)化學或物理(li)的(de)(de)作用(yong),引起(qi)金(jin)(jin)屬的(de)(de)變質(zhi)和(he)結構(gou)的(de)(de)破壞,稱為(wei)(wei)金(jin)(jin)屬腐(fu)蝕(shi)。鋼鐵(tie)材(cai)料中電(dian)化學腐(fu)蝕(shi)占所有腐(fu)蝕(shi)的(de)(de)90%以上,其余極少數(shu)為(wei)(wei)化學腐(fu)蝕(shi)和(he)物理(li)腐(fu)蝕(shi)。發生電(dian)化學腐(fu)蝕(shi)需(xu)滿足3個條件(jian),即(ji):陽(yang)極、陰極和(he)腐(fu)蝕(shi)介質(zhi),通(tong)常(chang)腐(fu)蝕(shi)介質(zhi)為(wei)(wei)水(shui)。 超(chao)疏水表(biao)(biao)(biao)面(mian)因其獨特的(de)微(wei)-納(na)結構(gou),可以將(jiang)空(kong)氣(qi)(qi)“包裹”于其中,形(xing)成空(kong)氣(qi)(qi)膜,將(jiang)腐蝕(shi)(shi)介質與金屬基(ji)材(cai)隔離(li)(li),從而(er)有(you)效地減少金屬發生氧化(hua)還原反(fan)應,防(fang)止腐蝕(shi)(shi),因此,超(chao)疏水表(biao)(biao)(biao)面(mian)有(you)望廣泛應用于金屬防(fang)腐蝕(shi)(shi)領(ling)域,在近(jin)20年受到了學(xue)者及科(ke)學(xue)家的(de)廣泛關注。通(tong)常獲得超(chao)疏水表(biao)(biao)(biao)面(mian)需滿足的(de)條件為:制備具備微(wei)-納(na)尺度的(de)粗糙表(biao)(biao)(biao)面(mian)和使用低表(biao)(biao)(biao)面(mian)能的(de)物(wu)質修飾。目前制備超(chao)疏水表(biao)(biao)(biao)面(mian)的(de)方法(fa)(fa)有(you):化(hua)學(xue)刻蝕(shi)(shi)法(fa)(fa)、相(xiang)分離(li)(li)法(fa)(fa)、模(mo)板法(fa)(fa)、電化(hua)學(xue)方法(fa)(fa)、水熱(re)合成法(fa)(fa)、溶(rong)膠-凝膠法(fa)(fa) (sol-gel法(fa)(fa))、自(zi)組裝法(fa)(fa)、氣(qi)(qi)相(xiang)法(fa)(fa) (即(ji)化(hua)學(xue)氣(qi)(qi)相(xiang)沉(chen)積技術)等。 化學氣(qi)相沉積技術(CVD)是(shi)利用(yong)氣(qi)相反應物(wu)在(zai)(zai)基(ji)(ji)材表面(mian)沉積形(xing)成(cheng)固態(tai)膜(mo)的技術,具有薄膜(mo)組成(cheng)可(ke)控、成(cheng)本低、操(cao)作簡單(dan)、制備(bei)膜(mo)層重復性好、膜(mo)層均勻、適用(yong)范圍(wei)廣、不受基(ji)(ji)材形(xing)狀限制以及對(dui)基(ji)(ji)體(ti)材料(liao)無損害等優點,是(shi)改變表面(mian)性能和微觀結構的有效(xiao)方法(fa)。本文綜述了(le)超(chao)(chao)疏水(shui)膜(mo)層的防腐蝕機理和氣(qi)相法(fa)制備(bei)超(chao)(chao)疏水(shui)膜(mo)層在(zai)(zai)防腐蝕領(ling)域(yu)的研究進展,以及對(dui)超(chao)(chao)疏水(shui)膜(mo)層未來的展望(wang)。 1 超疏水膜層防(fang)腐蝕(shi)機(ji)理 1.1 氣墊效應 Wenzel和Cassie分(fen)別就超疏水表(biao)面(mian)與(yu)液(ye)體的(de)接(jie)觸(chu)類型(xing)(xing)建立了數學模(mo)型(xing)(xing),分(fen)別稱為(wei)Wenzel模(mo)型(xing)(xing)和Cassie模(mo)型(xing)(xing)。使表(biao)面(mian)獲得超疏水性能的(de)必(bi)要條件之一(yi)為(wei)在表(biao)面(mian)上構(gou)筑具備(bei)一(yi)定粗糙度(du)的(de)微-納米維度(du)的(de)階層結構(gou),因此,Wenze認為(wei)固液(ye)相(xiang)之間接(jie)觸(chu)的(de)實際(ji)面(mian)積(ji)要大于(yu)表(biao)觀(guan)幾何上觀(guan)察(cha)到的(de)面(mian)積(ji),并對楊氏(shi)模(mo)型(xing)(xing)進行(xing)了修正,引入了粗糙度(du)因素r,其(qi)模(mo)型(xing)(xing)公式為(wei): 其中,θ ‘為Wenzel模型下的(de)(de)接觸(chu)角,r為粗糙(cao)度(du)因素,σSV、σSL和σLV分別(bie)為固-氣(qi)、固-液和液-氣(qi)的(de)(de)界面張力(li),θ為理想(xiang)平滑(hua)表面的(de)(de)接觸(chu)角。 但在實際(ji)中(zhong),液(ye)(ye)體與(yu)超(chao)疏水表面(mian)的接(jie)觸通常為復(fu)合接(jie)觸,即在液(ye)(ye)滴(di)與(yu)界面(mian)之間(jian)“包裹”有空氣,由此,Cassie從熱力學角度(du)推導建立(li)了(le)Cassie模(mo)型,其(qi)方(fang)程為: 其(qi)中(zhong),θ*為Cassie模(mo)型(xing)下的接(jie)觸角(jiao),f1和(he)f2分(fen)別(bie)為兩(liang)種(zhong)(zhong)介質(zhi)在(zai)表面的面積分(fen)數,θ1和(he)θ2分(fen)別(bie)為這(zhe)兩(liang)種(zhong)(zhong)介質(zhi)上的本征接(jie)觸角(jiao)。 具備(bei)Cassie模型的(de)(de)超疏(shu)(shu)水表(biao)(biao)面(mian)(mian),均(jun)有(you)氣(qi)墊(dian)效(xiao)應(ying)的(de)(de)存在(zai),而氣(qi)墊(dian)效(xiao)應(ying)是指超疏(shu)(shu)水表(biao)(biao)面(mian)(mian)特(te)有(you)的(de)(de)微-納米二元結構,將(jiang)空(kong)氣(qi)“包裹(guo)”在(zai)其中,使(shi)基材表(biao)(biao)面(mian)(mian)形成一(yi)個個的(de)(de)“氣(qi)袋”,如(ru)氣(qi)墊(dian)一(yi)般,將(jiang)腐蝕介質(zhi)與基材隔開(kai),達到防腐蝕的(de)(de)效(xiao)果(guo)。Quéré等研究發現,對(dui)于(yu)疏(shu)(shu)水表(biao)(biao)面(mian)(mian),陷(xian)入粗糙表(biao)(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)空(kong)氣(qi)處于(yu)亞(ya)穩狀態的(de)(de)條(tiao)件為: 其(qi)中,φs為液(ye)滴下固-液(ye)界面所占的(de)(de)比例。由此可知,當θ>90°時(shi),空(kong)氣(qi)將被“包裹”于(yu)表面微(wei)-納米二元結(jie)構(gou)中。Ishizaki等(deng)和(he)He等(deng)的(de)(de)電化學測試結(jie)果(guo)表明(ming),只要滿(man)足該亞(ya)穩態條件(jian),空(kong)氣(qi)膜即可穩定存在于(yu)超疏(shu)水表面的(de)(de)粗糙結(jie)構(gou)中。 1.2 毛細效應 超疏水表(biao)面(mian)具有大(da)量微-納尺度的突起和孔(kong)狀結構,這些結構“包裹”了大(da)量空(kong)氣(qi),構成(cheng)毛細管體(ti)系,在(zai)液、氣(qi)界面(mian),由于毛細作用(yong)(yong),形成(cheng)凸(tu)圓形界面(mian),在(zai)毛細壓(ya)力作用(yong)(yong)下(xia),阻止液體(ti)滲(shen)入(ru)超疏水表(biao)面(mian)。毛細管中曲(qu)面(mian)壓(ya)差可用(yong)(yong)下(xia)式表(biao)示: 其中,Pc為毛(mao)細壓力(li)(li),R為毛(mao)細管半徑,γ為液(ye)/氣界面表面張力(li)(li)。對于超疏水表面,水接觸角>150°,根(gen)據上式(shi)可知(zhi),Pc<0,即曲面壓差為負(fu)值,使腐蝕(shi)介質不僅不會通過間隙滲(shen)入到材料表面,還有被排(pai)出(chu)的(de)(de)趨勢,從而(er)減小金屬基體發生(sheng)腐蝕(shi)的(de)(de)可能性,這種效應就稱為毛(mao)細效應。同時,液(ye)/氣界面還承(cheng)受著由液(ye)體重力(li)(li)產(chan)生(sheng)的(de)(de)壓力(li)(li)Pg: 其中,ρ為(wei)溶液密度,g是重力加速度,h為(wei)試(shi)樣浸入深度。液、氣(qi)界面在(zai)Pc和Pg共(gong)同作(zuo)用下,平(ping)衡條件為(wei):Pc+Pg=0由此(ci)可得(de): 因此,當超疏水表(biao)面(mian)(mian)浸入腐(fu)蝕介(jie)質中時,能(neng)有效將(jiang)金屬基(ji)體與(yu)腐(fu)蝕介(jie)質隔離開的浸入深度(du)(du)與(yu)液/氣(qi)(qi)界面(mian)(mian)表(biao)面(mian)(mian)張(zhang)力、空隙半徑、腐(fu)蝕介(jie)質性質及(ji)表(biao)面(mian)(mian)疏水性密切相關;當浸入深度(du)(du)超過hc時,Pg>Pc,腐(fu)蝕介(jie)質滲入峰谷之(zhi)間,將(jiang)“包裹(guo)”的空氣(qi)(qi)排出,滲入膜(mo)層,加(jia)速(su)金屬基(ji)材的腐(fu)蝕進程。同時,結合公式分析可得出,當表(biao)面(mian)(mian)粗糙度(du)(du)一定時,選用可有效降低界面(mian)(mian)表(biao)面(mian)(mian)能(neng)的低能(neng)物質,可有效增大液/氣(qi)(qi)界面(mian)(mian)表(biao)面(mian)(mian)張(zhang)力 (γ),從而提高表(biao)面(mian)(mian)疏水性能(neng)。 1.3超疏(shu)水膜層防腐蝕(shi)機理研(yan)究 張盾等采用(yong)多(duo)種方法成功(gong)制(zhi)備了(le)(le)(le)超(chao)(chao)疏(shu)(shu)水(shui)(shui)膜(mo)(mo)(mo)層,并對超(chao)(chao)疏(shu)(shu)水(shui)(shui)膜(mo)(mo)(mo)層的防(fang)腐(fu)蝕(shi)(shi)性(xing)能(neng)和(he)防(fang)腐(fu)蝕(shi)(shi)機理進行(xing)了(le)(le)(le)大量研(yan)究。他們(men)制(zhi)備超(chao)(chao)疏(shu)(shu)水(shui)(shui)膜(mo)(mo)(mo)層(圖(tu)1a)接(jie)觸(chu)角(WCA) 達到(dao)152.5°。對未經處(chu)理的鋅片(BS)、“包(bao)裹(guo)”有(you)空(kong)(kong)氣(qi)的超(chao)(chao)疏(shu)(shu)水(shui)(shui)膜(mo)(mo)(mo)(SS)和(he)沒有(you)“包(bao)裹(guo)”空(kong)(kong)氣(qi)的超(chao)(chao)疏(shu)(shu)水(shui)(shui)膜(mo)(mo)(mo)(DS)3種典型(xing)試樣電(dian)化學(xue)測試結果顯(xian)示 (圖(tu)1b),DS和(he)BS電(dian)位穩(wen)定在(zai)(zai)-1.2 V左右,而(er)SS電(dian)位較DS和(he)BS更正,在(zai)(zai)-0.7~-0.6之間波動。由此可見,超(chao)(chao)疏(shu)(shu)水(shui)(shui)表(biao)面(mian)(mian)的防(fang)腐(fu)蝕(shi)(shi)性(xing)能(neng)與表(biao)面(mian)(mian)能(neng)否(fou)“包(bao)裹(guo)”空(kong)(kong)氣(qi)有(you)關(guan)。為了(le)(le)(le)驗證上述結論,他們(men)還用(yong)電(dian)解法在(zai)(zai)鋅表(biao)面(mian)(mian)制(zhi)備了(le)(le)(le)超(chao)(chao)疏(shu)(shu)水(shui)(shui)薄(bo)膜(mo)(mo)(mo),研(yan)究了(le)(le)(le)空(kong)(kong)氣(qi)墊在(zai)(zai)超(chao)(chao)疏(shu)(shu)水(shui)(shui)表(biao)面(mian)(mian)防(fang)腐(fu)蝕(shi)(shi)應用(yong)中的作用(yong),證明了(le)(le)(le)空(kong)(kong)氣(qi)墊對于提(ti)高超(chao)(chao)疏(shu)(shu)水(shui)(shui)表(biao)面(mian)(mian)的防(fang)腐(fu)蝕(shi)(shi)效果至關(guan)重(zhong)要。 圖1 超疏(shu)水(shui)膜層微觀形貌場發射掃描電鏡像及3.5%NaCl溶液(ye)中試(shi)樣不同處(chu)理后的電位(wei)-時間曲(qu)線 Liu等把豆蔻酸(suan)熔覆(fu)于Cu表(biao)(biao)面(mian)(mian)形(xing)成超(chao)疏(shu)水(shui)(shui)表(biao)(biao)面(mian)(mian),WCA達到158°,并認(ren)為超(chao)疏(shu)水(shui)(shui)表(biao)(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)隔(ge)絕(jue)作用(yong)是氣墊效(xiao)應(ying)(ying)和毛(mao)(mao)細(xi)效(xiao)應(ying)(ying)協(xie)同作用(yong)的(de)(de)(de)結果,一方面(mian)(mian),超(chao)疏(shu)水(shui)(shui)表(biao)(biao)面(mian)(mian)的(de)(de)(de)微(wei)-納(na)結構將空氣“包裹”在(zai)其峰谷(gu)之間,在(zai)表(biao)(biao)面(mian)(mian)形(xing)成空氣膜,憑借空氣的(de)(de)(de)阻(zu)塞效(xiao)應(ying)(ying),隔(ge)絕(jue)腐蝕介(jie)質;另一方面(mian)(mian),由于毛(mao)(mao)細(xi)管效(xiao)應(ying)(ying)的(de)(de)(de)存(cun)在(zai),當毛(mao)(mao)細(xi)作用(yong)力大于水(shui)(shui)自身(shen)重力時,超(chao)疏(shu)水(shui)(shui)表(biao)(biao)面(mian)(mian)微(wei)孔(kong)里的(de)(de)(de)水(shui)(shui)將會在(zai)拉普拉斯壓力的(de)(de)(de)作用(yong)下被排出,阻(zu)止了(le)Cl-的(de)(de)(de)進入,其防腐蝕模型如圖(tu)2所示。 圖2 超(chao)疏水表面與(yu)水的接觸(chu)界面模(mo)型(xing) 獻的(de)研究結(jie)果(guo)也驗證了超疏(shu)水表(biao)面的(de)防腐(fu)蝕機理是毛(mao)細(xi)效應和(he)氣墊效應的(de)協同(tong)作(zuo)用的(de)結(jie)果(guo)。 1.4 超疏水膜層(ceng)腐蝕破壞機理研究 由于超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)水膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)在制(zhi)備過(guo)程中,產(chan)生的(de)(de)(de)裂(lie)紋(wen)、氣孔等(deng)缺(que)陷(xian),致使膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)致密性(xing)降低(di),采用氣相(xiang)法制(zhi)備的(de)(de)(de)超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)水膜(mo)(mo)(mo)層(ceng),雖然可以保證膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)的(de)(de)(de)均勻性(xing),但由于其膜(mo)(mo)(mo)厚較薄,在外界機械沖(chong)擊或摩(mo)擦(ca)等(deng)情(qing)況(kuang)下,極易(yi)產(chan)生缺(que)陷(xian),腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)將優先在這些(xie)缺(que)陷(xian)處(chu)發生,隨著腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)的(de)(de)(de)發生、擴展,最終導致超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)水膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)失效;截至目前,僅少數學者(zhe)開(kai)展了(le)(le)氣相(xiang)法制(zhi)備的(de)(de)(de)耐磨損、耐機械損傷(shang)超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)水膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)的(de)(de)(de)研究(jiu)(jiu)。Ishizaki等(deng)進(jin)行(xing)了(le)(le)帶缺(que)陷(xian)超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)水膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)的(de)(de)(de)腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)機理研究(jiu)(jiu),由于裂(lie)縫的(de)(de)(de)存在使膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)局部區域的(de)(de)(de)疏(shu)水性(xing)降低(di),腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)介質通過(guo)裂(lie)縫滲入,從而發生腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi),伴(ban)隨著腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)產(chan)物的(de)(de)(de)積累,膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)被(bei)進(jin)一步破(po)壞(huai),使表(biao)面由超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)水狀態變為超(chao)(chao)(chao)(chao)親水狀態,腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)擴展,最終超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)水膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)徹底(di)破(po)壞(huai)。因(yin)此,如何避免(mian)或減輕這些(xie)缺(que)陷(xian)帶來的(de)(de)(de)不利影響,是超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)水膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)的(de)(de)(de)研究(jiu)(jiu)課題之一。 2 氣相(xiang)法制備超疏水膜層的(de)研(yan)究進展 目前用于(yu)制備超疏水膜層的CVD方法包括(kuo)常(chang)溫常(chang)壓(ya)化學(xue)(xue)氣(qi)相(xiang)沉積(ji) (常(chang)溫常(chang)壓(ya)CVD)、等離子體(ti)增強(qiang)化學(xue)(xue)氣(qi)相(xiang)沉積(ji) (PECVD)、氣(qi)溶(rong)膠輔助化學(xue)(xue)氣(qi)相(xiang)沉積(ji) (AACVD) 等。 2.1 常溫常壓化(hua)學氣相(xiang)沉積 常溫常壓CVD不需要(yao)復雜精密設備,沉(chen)積薄膜組成及結構(gou)可控,具有(you)成本低、操作簡單、制備膜層重復性好、膜層均勻、適(shi)用范圍廣以及對基體材料(liao)無損(sun)害等優點。 Rollings等研究(jiu)了(le)甲(jia)基三氯硅烷(TCMS)合(he)成(cheng)納米(mi)纖維的影(ying)響因素,包括(kuo)反(fan)(fan)應(ying)物濃度和配比、反(fan)(fan)應(ying)物分布均一性、合(he)成(cheng)時間(jian)和催化劑用量;相關學(xue)者還研究(jiu)了(le)反(fan)(fan)應(ying)溫度對制備(bei)(bei)膜層(ceng)(ceng)疏水性的影(ying)響;Karla等采用拉曼原位監測(ce)技術(shu)研究(jiu)了(le)CVD制備(bei)(bei)碳納米(mi)管 (CNT) 的形成(cheng)和生長過程。他們(men)的研究(jiu)成(cheng)果推動了(le)氣相法(fa)制備(bei)(bei)超疏水膜層(ceng)(ceng)的基礎研究(jiu)和工藝(yi)優化。 Georg等(deng)采(cai)用CVD技術,利用TCMS沸點低以及與水(shui)(shui)(shui)反應迅速的特(te)點,在(zai)鋁(lv)合(he)金(jin)、棉花、玻璃(li)等(deng)材料表面(mian),沉(chen)積形成一層(ceng)透明(ming)且具有超(chao)疏(shu)水(shui)(shui)(shui)性(xing)(xing)(xing)能的聚甲基硅倍半氧烷(wan)膜(mo)層(ceng) (圖(tu)3),其中(zhong)(zhong)鋁(lv)合(he)金(jin)表面(mian)制備的超(chao)疏(shu)水(shui)(shui)(shui)膜(mo)層(ceng)的WCA為 (168±1)°,滾動角 (SA) 為(8±1)°,大氣自(zi)然環(huan)境(jing)暴(bao)露(lu)1 a后(hou) (圖(tu)4),仍(reng)(reng)然保持優(you)異(yi)超(chao)疏(shu)水(shui)(shui)(shui)性(xing)(xing)(xing)能,并(bing)且通(tong)過熱處(chu)理可(ke)顯著提高膜(mo)層(ceng)的環(huan)境(jing)耐久性(xing)(xing)(xing);同時,該膜(mo)層(ceng)在(zai)有機溶(rong)(rong)劑(ji)、中(zhong)(zhong)性(xing)(xing)(xing)溶(rong)(rong)劑(ji)、弱(ruo)酸溶(rong)(rong)液以及弱(ruo)堿性(xing)(xing)(xing)清潔劑(ji)溶(rong)(rong)液中(zhong)(zhong)仍(reng)(reng)具有優(you)良的化(hua)學穩定性(xing)(xing)(xing)。表明(ming)CVD法制備的硅烷(wan)納米線(xian)超(chao)疏(shu)水(shui)(shui)(shui)膜(mo)層(ceng)具有優(you)異(yi)的環(huan)境(jing)耐久性(xing)(xing)(xing)和化(hua)學穩定性(xing)(xing)(xing)。 圖3 硅烷(wan)納米線膜層的(de)SEM像(xiang) 圖(tu)4 硅烷納米線(xian)超(chao)疏水膜層WCA和(he)SA與暴(bao)露時(shi)間的關系(xi) Rezaei等(deng)(deng)(deng)采(cai)用常溫(wen)常壓(ya)CVD技術(shu)(shu),在玻璃、硅片和(he)鋁片上成功制(zhi)(zhi)(zhi)得了超(chao)疏(shu)水(shui)膜層(ceng)。CVD技術(shu)(shu)和(he)sol-gel法(fa)制(zhi)(zhi)(zhi)備(bei)超(chao)疏(shu)水(shui)膜層(ceng)的超(chao)疏(shu)水(shui)性(xing)(xing)(xing)(xing)能(neng)的對(dui)比研究(jiu)顯示(shi):CVD法(fa)制(zhi)(zhi)(zhi)備(bei)膜層(ceng)的疏(shu)水(shui)性(xing)(xing)(xing)(xing)優(you)于sol-gel法(fa)。吳俊(jun)升等(deng)(deng)(deng)采(cai)用CVD技術(shu)(shu)改(gai)性(xing)(xing)(xing)(xing)1 h即獲得了液相法(fa)改(gai)性(xing)(xing)(xing)(xing)7 d的超(chao)疏(shu)水(shui)性(xing)(xing)(xing)(xing)能(neng),膜層(ceng)的超(chao)疏(shu)水(shui)穩定(ding)性(xing)(xing)(xing)(xing)能(neng)更(geng)穩定(ding),在3.5%NaCl溶(rong)液中浸泡21 d時,WCA仍高達135°,且膜層(ceng)完整。Ebert等(deng)(deng)(deng)[46]在經(jing)過O2/CF4等(deng)(deng)(deng)離子刻蝕的PDMS表(biao)面,分別采(cai)用C4F8等(deng)(deng)(deng)離子改(gai)性(xing)(xing)(xing)(xing)和(he)常溫(wen)氣相沉(chen)積PFOTCS進(jin)行(xing)(xing)改(gai)性(xing)(xing)(xing)(xing)制(zhi)(zhi)(zhi)備(bei)了超(chao)疏(shu)水(shui)表(biao)面,并(bing)對(dui)其超(chao)疏(shu)水(shui)性(xing)(xing)(xing)(xing)能(neng)進(jin)行(xing)(xing)了鑒(jian)定(ding)。 綜上(shang)所述,采用常溫常壓CVD技術改(gai)性(xing)(xing)制(zhi)得(de)的(de)超疏(shu)水(shui)(shui)膜(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)相(xiang)較于sol-gel法等液相(xiang)法改(gai)性(xing)(xing)制(zhi)得(de)的(de)膜(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)疏(shu)水(shui)(shui)性(xing)(xing)、均勻性(xing)(xing)、化學穩定性(xing)(xing)和環(huan)境耐久性(xing)(xing)均更(geng)優(you)異(yi)。但(dan)該方法制(zhi)得(de)的(de)超疏(shu)水(shui)(shui)膜(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)疏(shu)水(shui)(shui)層(ceng)(ceng)(ceng)很薄(bo),通常為(wei)單分子(zi)或幾(ji)個分子(zi)層(ceng)(ceng)(ceng)厚度,耐沖擊和磨損能力(li)(li)弱,僅能用于不受力(li)(li)的(de)場合。 2.2等離(li)子增(zeng)強化學(xue)氣相沉積 PECVD是指(zhi)借助(zhu)外部所加電(dian)場的(de)作(zuo)用(yong)(yong)(yong)引(yin)起放電(dian),使原料氣體成為(wei)等離子(zi)(zi)體狀態,變(bian)為(wei)化(hua)學(xue)上非常(chang)(chang)活潑的(de)激發分子(zi)(zi)、原子(zi)(zi)、離子(zi)(zi)和原子(zi)(zi)團等,促進(jin)化(hua)學(xue)反(fan)(fan)應(ying),在(zai)基材(cai)表(biao)(biao)面(mian)形成薄(bo)膜。PECVD具有(you)常(chang)(chang)溫常(chang)(chang)壓CVD技術的(de)絕大(da)多數優點,并且由(you)于(yu)等離子(zi)(zi)體的(de)作(zuo)用(yong)(yong)(yong)及等離子(zi)(zi)體參與反(fan)(fan)應(ying),使反(fan)(fan)應(ying)物(wu)和基材(cai)表(biao)(biao)面(mian)均產生(sheng)大(da)量離子(zi)(zi)、自由(you)基和亞穩態物(wu)質(zhi)等活性基團,降低(di)反(fan)(fan)應(ying)發生(sheng)的(de)溫度,縮短反(fan)(fan)應(ying)時(shi)間(jian),使熱力學(xue)上難(nan)以發生(sheng)的(de)反(fan)(fan)應(ying)變(bian)為(wei)可能,促進(jin)化(hua)學(xue)反(fan)(fan)應(ying)的(de)進(jin)行。目(mu)前(qian)已采用(yong)(yong)(yong)PECVD技術在(zai)多種材(cai)料表(biao)(biao)面(mian)制備獲(huo)得(de)超(chao)疏水(shui)膜層。 文獻首先用微波等離子增強化學氣相沉積技術(MPECVD),成功制備了超疏水膜層,該膜層WCA隨反應物分壓的升高而增大,最大接觸角約160°。Ishizaki等運用MPECVD技術在AZ31鎂合金上制備了超疏水膜層,其表面粗糙度隨沉積時間的延長而增大,其WCA大于150°。腐蝕性能試驗結果顯示,超疏使AZ31的(de)陽極和陰(yin)極電流密度(du)顯(xian)著降低、阻抗顯(xian)著增大 (圖5),并(bing)且(qie)在酸性(xing)(xing)和堿性(xing)(xing)溶液中表現出良好的(de)化學(xue)穩定性(xing)(xing) (圖6),顯(xian)著改善了鎂合金防腐蝕性(xing)(xing)能。 圖5 AZ31和超疏水(shui)膜層在3.5%NaCl溶液中的電化學(xue)測試結(jie)果 圖(tu)6 超疏水膜層WCA與(yu)浸泡(pao)時間的關系 PECVD雖然相較于常溫常壓CVD在制得超疏水膜層的膜厚、膜層致密性、疏水性等方面有一定優勢,但其需要借助昂貴的專業設備和嚴苛的制備條件,以至于在大規模工業生產中推廣不具備優勢。2.3 氣溶膠輔助化學氣相沉積氣溶膠是指任何物質的固體微粒或液體微粒懸浮于氣體介質中所形成的具有特定運動規律的整個分散體系。氣溶膠科學在工業衛生、以(yi)(yi)及核(he)工業的(de)(de)(de)(de)(de)(de)輻(fu)射(she)防(fang)護等(deng)領(ling)域有著(zhu)舉足(zu)輕重的(de)(de)(de)(de)(de)(de)作(zuo)用(yong),但將氣溶(rong)(rong)(rong)膠(jiao)用(yong)于制備超疏水(shui)(shui)膜(mo)層的(de)(de)(de)(de)(de)(de)研究卻很少報道。AACVD采用(yong)黏度很低的(de)(de)(de)(de)(de)(de)溶(rong)(rong)(rong)膠(jiao),使(shi)膠(jiao)體(ti)粒(li)子在(zai)(zai)(zai)氣相條件下(xia)發(fa)生聚(ju)合(he)(he)反應(ying)(ying),并在(zai)(zai)(zai)基材表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)自組(zu)裝形成(cheng)微觀粗(cu)糙結構,以(yi)(yi)獲得(de)超疏水(shui)(shui)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)。AACVD法(fa)是基于常(chang)溫常(chang)壓CVD法(fa)開發(fa)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)新(xin)方(fang)法(fa),可在(zai)(zai)(zai)任何基材表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)制得(de)超疏水(shui)(shui)膜(mo)層。Colin等(deng)采用(yong)AACVD技術,將SYLGARD?184硅烷彈性(xing)體(ti)沉(chen)(chen)積(ji)到基體(ti)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian),使(shi)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)獲得(de)超疏水(shui)(shui)性(xing)能(neng)(neng)。其原理是:SYLGARD?184硅烷彈性(xing)體(ti)由兩部分組(zu)成(cheng)∶彈性(xing)體(ti)和固化(hua)劑,將這兩種成(cheng)分以(yi)(yi)10∶1的(de)(de)(de)(de)(de)(de)比例溶(rong)(rong)(rong)于氯仿(fang)(fang)中快速攪拌(ban)5 min,配成(cheng)溶(rong)(rong)(rong)膠(jiao),將配制的(de)(de)(de)(de)(de)(de)溶(rong)(rong)(rong)膠(jiao)以(yi)(yi)氣相導(dao)入反應(ying)(ying)室(shi),形成(cheng)氣溶(rong)(rong)(rong)膠(jiao),隨(sui)(sui)著(zhu)氯仿(fang)(fang)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)揮發(fa),彈性(xing)體(ti)與固化(hua)劑在(zai)(zai)(zai)基體(ti)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)發(fa)生交(jiao)聯反應(ying)(ying)和固化(hua)反應(ying)(ying),形成(cheng)熱阻性(xing)能(neng)(neng)優良的(de)(de)(de)(de)(de)(de)聚(ju)合(he)(he)物(wu)。膜(mo)層疏水(shui)(shui)性(xing)與沉(chen)(chen)積(ji)溫度有關,平均WCA和最大WCA均隨(sui)(sui)沉(chen)(chen)積(ji)溫度的(de)(de)(de)(de)(de)(de)升高而增大(見表(biao)(biao)1),SA隨(sui)(sui)沉(chen)(chen)積(ji)溫度的(de)(de)(de)(de)(de)(de)升高而減小(xiao)。目前,利(li)用(yong)AACVD技術已在(zai)(zai)(zai)多種基材上制備了超疏水(shui)(shui)涂層,獲得(de)超疏水(shui)(shui)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)(mian)(mian)其最大WCA高達170°,SA低至1~2°。 Colin等還通過(guo)AACVD技術(shu)與常溫常壓CVD技術(shu)的(de)(de)結合,以酸催(cui)化(hua)正硅酸乙酯氣(qi)溶膠水(shui)(shui)解(jie),形(xing)成SiO2微粒,沉積在玻片上,形(xing)成微觀粗糙的(de)(de)SiO2膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng),并用六甲基二(er)硅烷進行表(biao)面改性,獲得(de)超(chao)疏水(shui)(shui)性能,WCA最高(gao)達180°,滾(gun)動角小于1°。Philip等采用中子反射(she)技術(shu)研究(jiu)了(le)AACVD技術(shu)制備的(de)(de)超(chao)疏水(shui)(shui)涂層(ceng)(ceng)下(xia)基材(cai)的(de)(de)腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)進展情況,其膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)厚(hou)(hou)度及(ji)分布見(jian)圖7a。圖7b為(wei)腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)產(chan)物層(ceng)(ceng)厚(hou)(hou)度隨(sui)浸泡時間的(de)(de)變(bian)化(hua),隨(sui)著在5%NaCl D2O溶液中浸泡時間的(de)(de)延長,超(chao)疏水(shui)(shui)膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)下(xia)的(de)(de)腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)產(chan)物緩(huan)(huan)慢增加,其基體腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)速率約(yue)為(wei)未施加保護的(de)(de)鋁(lv)腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)速率的(de)(de)十分之(zhi)一。結果表(biao)明,超(chao)疏水(shui)(shui)膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)有效阻止了(le)腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)介質(zhi)的(de)(de)滲入,顯著減緩(huan)(huan)了(le)鋁(lv)合金基材(cai)的(de)(de)腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)。圖7 超(chao)疏水(shui)(shui)膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)厚(hou)(hou)度及(ji)分布及(ji)鋁(lv)膜(mo)(mo)(mo)層(ceng)(ceng)厚(hou)(hou)度隨(sui)時間變(bian)化(hua)曲線 Ekrem等(deng)(deng)借助AACVD技術制備的(de)超疏(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)抗(kang)菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)鍍(du)銅(tong)聚(ju)(ju)合(he)物(wu)膜(mo)層(ceng)(ceng)的(de)WCA超過150°,SA低(di)至1°,對(dui)革(ge)蘭氏陰(yin)性(xing)菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)、革(ge)蘭氏染色(se)陽性(xing)細菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)、大腸桿(gan)菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)和(he)金黃(huang)色(se)葡萄球(qiu)菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)等(deng)(deng)4種細菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)具有優異(yi)的(de)殺滅(mie)效果 (如圖8),接種大腸桿(gan)菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)15 min后,PDMS和(he)氣相(xiang)(xiang)沉積制備PDMS表(biao)(biao)面(mian)(mian)細菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)數(shu)量(liang)相(xiang)(xiang)對(dui)于玻璃表(biao)(biao)面(mian)(mian)略有降低(di)或持平,但超疏(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)抗(kang)菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)鍍(du)銅(tong)聚(ju)(ju)合(he)物(wu)膜(mo)層(ceng)(ceng)表(biao)(biao)面(mian)(mian)金黃(huang)色(se)葡萄球(qiu)菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)數(shu)量(liang)隨著(zhu)時(shi)間的(de)延長呈(cheng)指(zhi)數(shu)型(xing)降低(di),15 min后即(ji)低(di)至檢(jian)測極限;接種大腸桿(gan)菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)1 h后,PDMS和(he)氣相(xiang)(xiang)沉積制備PDMS表(biao)(biao)面(mian)(mian)細菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)數(shu)量(liang)增加,但超疏(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)抗(kang)菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)鍍(du)銅(tong)聚(ju)(ju)合(he)物(wu)膜(mo)層(ceng)(ceng)表(biao)(biao)面(mian)(mian)桿(gan)菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)數(shu)量(liang)隨著(zhu)時(shi)間的(de)延長逐漸降低(di),1 h后即(ji)低(di)至檢(jian)測極限。同(tong)時(shi),表(biao)(biao)面(mian)(mian)抗(kang)附(fu)著(zhu)性(xing)能與(yu)表(biao)(biao)面(mian)(mian)的(de)疏(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)性(xing)能密切(qie)相(xiang)(xiang)關,疏(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)性(xing)越(yue)(yue)好,細菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)的(de)附(fu)著(zhu)率越(yue)(yue)低(di)。該(gai)抗(kang)菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)超疏(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)膜(mo)層(ceng)(ceng)的(de)成功制備,是AACVD技術在(zai)艦船船體等(deng)(deng)表(biao)(biao)面(mian)(mian)制備抗(kang)污、抗(kang)菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)、防腐蝕(shi)超疏(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)膜(mo)層(ceng)(ceng)方(fang)面(mian)(mian)的(de)有力探(tan)索。圖8 不同(tong)樣(yang)品表(biao)(biao)面(mian)(mian)接種細菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun), 細菌(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)(jun)數(shu)量(liang)隨時(shi)間的(de)變化 相較于(yu)常溫(wen)常壓CVD和(he)(he)PECVD,AACVD法(fa)具有成(cheng)本低、工藝簡單(dan)和(he)(he)無需復雜昂貴設(she)備(bei)等(deng)優點,更具備(bei)工程化(hua)應用的潛力。2.4 其他Ignasi等(deng)采用離子(zi)刻蝕(shi)和(he)(he)啟動(dong)化(hua)學(xue)氣相沉積(iCVD)相結(jie)合的兩步法(fa),使銅(tong)(tong)(tong)表面獲得超(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)性能,并采用原子(zi)力顯微鏡(AFM)、掃描(miao)電(dian)鏡(SEM)、原子(zi)探針(XPS)、極化(hua)曲線(xian)測試等(deng)方法(fa)研究分(fen)析(xi)了超(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)膜層的形貌、化(hua)學(xue)成(cheng)分(fen)和(he)(he)防腐(fu)(fu)蝕(shi)性能,結(jie)果表明,銅(tong)(tong)(tong)表面WCA高(gao)達163°,遲滯角低至1°。通(tong)過極化(hua)曲線(xian)分(fen)析(xi)(圖9)可(ke)知,裸銅(tong)(tong)(tong)、自組(zu)裝氟硅烷改性銅(tong)(tong)(tong)和(he)(he)超(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)銅(tong)(tong)(tong)的腐(fu)(fu)蝕(shi)速率(lv)分(fen)別為51,2.5和(he)(he)0.077 μm/a,超(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)銅(tong)(tong)(tong)具備(bei)優異的防腐(fu)(fu)蝕(shi)性能。圖9 裸銅(tong)(tong)(tong)、自組(zu)裝氟硅烷改性銅(tong)(tong)(tong)和(he)(he)超(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)銅(tong)(tong)(tong)在3.5%NaCl中的塔菲爾極化(hua)曲線(xian) 3 結束語綜合(he)分(fen)析(xi)氣(qi)(qi)(qi)相(xiang)(xiang)(xiang)法(fa)制(zhi)備(bei)(bei)(bei)超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)膜(mo)層(ceng)(ceng)在防腐(fu)蝕(shi)領域的(de)(de)(de)(de)(de)(de)研(yan)究(jiu)進(jin)展可(ke)知,超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)膜(mo)層(ceng)(ceng)對腐(fu)蝕(shi)介(jie)質(zhi)具備(bei)(bei)(bei)優(you)異的(de)(de)(de)(de)(de)(de)隔絕作用(yong)(yong),可(ke)以有(you)(you)效(xiao)地(di)避免或(huo)減緩基材金屬的(de)(de)(de)(de)(de)(de)電(dian)化(hua)學(xue)腐(fu)蝕(shi);同時,氣(qi)(qi)(qi)相(xiang)(xiang)(xiang)法(fa)制(zhi)備(bei)(bei)(bei)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)膜(mo)層(ceng)(ceng)相(xiang)(xiang)(xiang)較于液(ye)相(xiang)(xiang)(xiang)法(fa),在疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)性(xing)(xing)(xing)、化(hua)學(xue)穩定(ding)性(xing)(xing)(xing)、環境耐(nai)(nai)(nai)(nai)久性(xing)(xing)(xing)、工(gong)藝(yi)流(liu)程、成(cheng)本以及環境友好等方面(mian)(mian)(mian)具有(you)(you)更為(wei)突出的(de)(de)(de)(de)(de)(de)優(you)勢。但氣(qi)(qi)(qi)相(xiang)(xiang)(xiang)法(fa)制(zhi)備(bei)(bei)(bei)超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)膜(mo)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)厚(hou)度薄,耐(nai)(nai)(nai)(nai)磨損和耐(nai)(nai)(nai)(nai)機械(xie)損傷的(de)(de)(de)(de)(de)(de)能力差,嚴重阻礙了氣(qi)(qi)(qi)相(xiang)(xiang)(xiang)法(fa)制(zhi)備(bei)(bei)(bei)技術在超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)膜(mo)層(ceng)(ceng)制(zhi)備(bei)(bei)(bei)中(zhong)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)程化(hua)應(ying)用(yong)(yong)。截至目前(qian),僅少數(shu)學(xue)者就氣(qi)(qi)(qi)相(xiang)(xiang)(xiang)法(fa)制(zhi)備(bei)(bei)(bei)超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)膜(mo)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)耐(nai)(nai)(nai)(nai)磨損、耐(nai)(nai)(nai)(nai)機械(xie)損傷等性(xing)(xing)(xing)能開(kai)展系統研(yan)究(jiu)。因(yin)此,為(wei)推(tui)動氣(qi)(qi)(qi)相(xiang)(xiang)(xiang)法(fa)制(zhi)備(bei)(bei)(bei)超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)膜(mo)層(ceng)(ceng)在防腐(fu)蝕(shi)領域的(de)(de)(de)(de)(de)(de)工(gong)程化(hua)應(ying)用(yong)(yong),還需要進(jin)一步(bu)加(jia)強(qiang)(qiang)(qiang)3個方面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)研(yan)究(jiu):(1)將CVD技術與其他(ta)先進(jin)工(gong)藝(yi)深(shen)度結合(he),進(jin)一步(bu)加(jia)強(qiang)(qiang)(qiang)耐(nai)(nai)(nai)(nai)磨、耐(nai)(nai)(nai)(nai)沖擊(ji)超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)膜(mo)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)研(yan)究(jiu)。為(wei)解決(jue)CVD技術制(zhi)備(bei)(bei)(bei)膜(mo)層(ceng)(ceng)薄,耐(nai)(nai)(nai)(nai)磨、耐(nai)(nai)(nai)(nai)機械(xie)損傷能力弱(ruo)等方面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)不足,優(you)先采用(yong)(yong)物(wu)理或(huo)化(hua)學(xue)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)方法(fa),提(ti)高(gao)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)機械(xie)強(qiang)(qiang)(qiang)度,再結合(he)CVD技術對表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)進(jin)行改(gai)性(xing)(xing)(xing),以獲得具備(bei)(bei)(bei)高(gao)機械(xie)強(qiang)(qiang)(qiang)度、高(gao)耐(nai)(nai)(nai)(nai)腐(fu)蝕(shi)性(xing)(xing)(xing)能的(de)(de)(de)(de)(de)(de)超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)。(2)進(jin)一步(bu)加(jia)強(qiang)(qiang)(qiang)“自(zi)修復”超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)膜(mo)層(ceng)(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)研(yan)究(jiu)。超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)自(zi)修復途徑包括:(1) 通過疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)成(cheng)分(fen)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)遷移;(2) 微-納二元(yuan)粗(cu)糙結構的(de)(de)(de)(de)(de)(de)再生。應(ying)圍(wei)繞以上兩個途徑加(jia)強(qiang)(qiang)(qiang)研(yan)究(jiu)。(3)加(jia)強(qiang)(qiang)(qiang)“超(chao)(chao)(chao)(chao)雙(shuang)疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)”表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian) (既(ji)疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)又疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)油) 的(de)(de)(de)(de)(de)(de)研(yan)究(jiu)。通常(chang)超(chao)(chao)(chao)(chao)疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)由于油性(xing)(xing)(xing)物(wu)質(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)污染(ran),導致其疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)水(shui)(shui)(shui)(shui)性(xing)(xing)(xing)持(chi)久性(xing)(xing)(xing)不強(qiang)(qiang)(qiang)。因(yin)此,加(jia)強(qiang)(qiang)(qiang)超(chao)(chao)(chao)(chao)雙(shuang)疏(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)(shu)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)制(zhi)備(bei)(bei)(bei)可(ke)有(you)(you)效(xiao)提(ti)高(gao)表(biao)(biao)面(mian)(mian)(mian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)化(hua)學(xue)穩定(ding)性(xing)(xing)(xing)和耐(nai)(nai)(nai)(nai)久性(xing)(xing)(xing),有(you)(you)利于工(gong)程化(hua)應(ying)用(yong)(yong)。 |